- FEMAG/CZ 提拉法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/CZ/OX 化合物提拉/泡生法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/FZ 區熔法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/DS 定向凝固法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/VB VB/VGF法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/HEM 熱交換法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/PVT 物理氣相傳輸法晶體生長仿真模塊
- FEMAG/TMF 外加磁場功能模塊
- 爐內溫度分布計算
- 多組加熱器布置、加熱器功率預測
- 溫度控制點設置
- 凝固界面形狀預測與溫度梯度分布計算
- 爐內全局熱通量計算
- 全面的熔體、氣體流動模型
- 摻雜物濃度分布預測
- 熱應力計算
- 點缺陷與微缺陷濃度預測
- 可與TMF模塊耦合建立多種外加磁場
- 多種求解模式適應不同的計算需求
- 光學級單晶鍺的生長
- 晶體生長熔爐的設計
- YAG功能晶體的生長
- GaAs、CdTe晶體的生長
- 半導體、集成電路級單晶硅的生長
- 第三代半導體材料SiC晶體的生長
- 太陽能光伏單晶硅、多晶硅錠的生長
- 航空發動機渦輪葉片單晶高溫合金的生長
- 氧化物（藍寶石）、鹵化物等LED光電晶體的生長
模擬提拉法（CZochralski method，CZ）晶體生長工藝的仿真模塊，可對整個提拉生長過程，包括引晶、縮頸、轉肩、等徑生長、收尾等各個生長階段所涉及的物理問題進行模擬分析，廣泛用于半導體/太陽能光伏單晶硅、單晶鍺以及小尺寸藍寶石等晶體生長的仿真應用。
- 爐體全局熱場分析
- 固液界面形狀與位置計算
- 固液界面溫度梯度計算
- 考慮時間參量的動態分析
- 熔體、氣體對流計算
- 輻射傳熱計算
- 加熱器功率預測
- 氧/碳含量預測
- 各向異性熱應力計算
- 點缺陷濃度分析
- 連續提拉生長模擬
- 考慮磁場的三維多場計算
- 熔體、晶體內摻雜物濃度預測
模擬化合物晶體的提拉法與泡生法生長工藝的仿真模塊，可以分析鹵化物/氧化物閃爍性晶體與大尺寸藍寶石晶體的生長過程，在LED光電技術、高能物理、醫學成像等領域具有廣泛應用。
- 化合物晶體提拉生長模擬
- 藍寶石泡生法生長模擬
- 固液界面形狀計算
- 熔體全局熱場計算
- 熔體、氣體對流計算
- 內部熱輻射計算
- 各向異性熱應力計算
- 電阻加熱與感應加熱靈活設置
- 熔體、晶體內摻雜物濃度預測
模擬區熔法（Floating Zone process，FZ）生長工藝的仿真模塊，可對區熔法生長的超純單晶硅工藝過程進行模擬。超純單晶硅廣泛用于大功率器件、電力汽車、高鐵等設備。
- 區熔法工藝條件設置
- 熔區受力分析
- 熔體全局熱場計算
- 準穩態與逆向動態模擬
- 感應加熱器設置
- 各向異性熱應力計算
- 點缺陷濃度計算
- 摻雜物組分傳輸計算
- 熔體、晶體內摻雜物濃度預測
模擬定向凝固法（Directional Solidification，DS）晶體生長工藝的仿真模塊，可用于分析多晶硅錠、單晶高溫合金的定向凝固生長，在太陽能光伏、LED光電技術以及航空發動機高溫合金單晶渦輪葉片等領域具有廣泛應用。
- 定向凝固工藝條件設置
- 熔體全局熱場計算
- 固液界面形狀計算
- 輻射傳熱計算
- 穩態/非穩態熔體對流計算
- Marangoni效應分析
- 熔體中氧/碳濃度計算
- 不同冷卻模式的靈活選擇
- 加熱器、隔熱罩等熔爐組件對生長環境的影響分析
- 靈活定義加熱器功率位置等參數隨時間的變化關系
- 熔體、晶體內摻雜物濃度預測
模擬垂直布里奇曼法（Vertical Bridgman process，VB）與垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze process，VGF）晶體生長工藝的仿真模塊，可對CdTe、GaAs等晶體的VB/VGF法生長過程進行仿真分析。
- 爐體全局熱場計算
- 準穩態和動態模擬
- 熔體流場計算
- 輻射傳熱計算
- 固液界面形狀計算
- 不同冷卻模式的靈活選擇
- 熔體、晶體中組分擴散與傳質計算
- 加熱器、隔熱罩等熔爐組件對生長環境的影響分析
模擬熱交換法（Heat Exchange Method，HEM）晶體生長工藝的仿真模塊，可對藍寶石等晶體熱交換法生長過程進行仿真分析。
- 爐體全局與局部熱場計算
- 輻射傳熱計算
- 熔體流動計算
- 氣體對流計算
- 固液界面形狀計算
- 加熱器功率自動計算
模擬物理氣相傳輸法（Physical Vapor Transport process，PVT）晶體生長工藝的仿真模塊，可分析SiC、AlN、ZnO等晶體的PVT法生長，為熱場設計、爐體組件優化、工藝質量分析等提供可靠的解決方案，在半導體、太陽能光伏等領域具有廣泛應用。
- 支持半透明輻射傳熱
- 支持感應加熱分析
- 準確的氣體流動計算模型
- 支持多種氣體進、出口模式設置
- 支持不同宏單元之間的傳熱系數的計算
用于處理高度非線性的磁流體（MHD）問題，采用專門的FLET（Fourier Limited Expansion Technique）技術，基于2D網格處理3D問題，在確保計算精度的同時，大幅提高計算效率。
- 分析磁場對熔體流動、溫度以及組分的影響
- 分析磁場作用下固液界面的變形
- 計算磁場作用下晶體生長過程中的溫度梯度以及氧化物分布
- 可求解高強磁場（可達到工業實際應用中的500mT）問題
- 300mm Si單晶生長模擬
- 外加磁場：0.5T TMF
- 熔體和坩堝界面處明顯的Hartmann邊界層
- 厚度：50-80μm